氮化鋁（AlN）

來源：廣州昊諾實驗室設(shè)備有限公司 發(fā)布日期：2019-05-09

氮化鋁（AlN）

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簡介：


用途：AlN具有熱導(dǎo)率高、電性能好、熱膨脹系數(shù)與Si片接近、無毒性的特點，是取代BeO陶瓷的理想材料。主要應(yīng)用于高密度混合電路、微波功率器件、電力電子器件、光電子部件、半導(dǎo)體致冷等產(chǎn)品中做高性能基片材料和封裝材料。


特點：北京瑞發(fā)致遠(yuǎn)能提供常規(guī)AlN和金屬化的AlN基片。即在AlN表面鍍一層金屬層，其附著力在1.5-3.0之間，可焊性好。


參數(shù)：

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