砷化鎵（GaAs）晶體及基片

來源：廣州昊諾實驗室設(shè)備有限公司 發(fā)布日期：2019-05-09

砷化鎵（GaAs）晶體及基片

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簡介：


    GaAs是繼Si之后研究最深入、應(yīng)用最廣泛的一種新型半導體材料。它具有遷移率高、禁帶寬度大、耐高溫等特點。主要應(yīng)用于高頻通訊、無線網(wǎng)絡(luò)及光電子領(lǐng)域，如LED發(fā)光器、太陽能電池板等。 特點：可提供本征、輕摻雜、重摻雜（摻Si、Cr、Fe或Zn）的單晶GaAs片


參數(shù)：

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