砷化鎵（GaAs）

來源：廣州昊諾實驗室設備有限公司 發(fā)布日期：2019-05-08

砷化鎵（GaAs）

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GaAs襯底簡介：


GaAs是繼Si之后研究最深入、應用最廣泛的一種新型半導體材料。它具有遷移率高、禁帶寬度大、耐高溫等特點。主要應用于高頻通訊、無線網(wǎng)絡及光電子領(lǐng)域，如LED發(fā)光器、太陽能電池板等。我們可提供本征、輕摻雜、重摻雜（摻Si、Zn）。


參數(shù)：

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