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MgAl6O10單晶及基片
來源：廣州昊諾實(shí)驗(yàn)室設(shè)備有限公司
發(fā)布日期：2019-05-09
MgAl6O10單晶及基片
簡(jiǎn)介：
MgAl6O10單晶是最近發(fā)現(xiàn)的一種GaN和ZnO外延生長用新型襯底材料。與MgAl2O4晶體相比，MgAl6O10單晶與GaN的熱膨脹失配和晶格失配更小。與GaN的熱膨脹失配為2.2×10?6 K?1，晶格失配為?11.5%。此外，MgAl6O10單晶由于熔點(diǎn)較MgAl2O4晶體低，更易于生長大尺寸和高質(zhì)量的晶體。實(shí)驗(yàn)證明，在MgAl6O10單晶襯底上制備的GaN和ZnO器件的發(fā)光性能比藍(lán)寶石有所提升。
參數(shù)：
