硅酸鉍（ Bi12SiO20）

來源：廣州昊諾實驗室設(shè)備有限公司 發(fā)布日期：2019-05-08

硅酸鉍（ Bi12SiO20）

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用途：ＢＧＯ有多種同素異構(gòu)體。其中Bi4Ge3O12為立方晶系，點群43m。熔點1050℃。在可見光、X射線、α和γ射線的激發(fā)下可產(chǎn)生熒光。激發(fā)光譜305nm，熒光光譜480～510nm，光輸出溫度系數(shù)-1％/℃，臨界能量10.5MeV。具有良好的閃爍性能，不吸潮、抗沖擊，易于加工，化學(xué)性能穩(wěn)定，不存在因摻雜不均引起的發(fā)光強度不均勻問題。有效原子系數(shù)高，熒光衰減時間短，有利于快速計算。用提拉法或下降法在大氣氣氛下生長。為高能射線的閃爍探測材料，用于正負電子對撞機。


參數(shù)：

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