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氧化鋅（ZnO）晶體及基片
來源：廣州昊諾實驗室設(shè)備有限公司
發(fā)布日期：2019-05-09
氧化鋅（ZnO）晶體及基片
簡介：
氧化鋅單晶是很好的GaN薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材料．同時由于具有可見區(qū)透明，機電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附-解析等性質(zhì)，有望在高峰值能量的能量限制器、大直徑高質(zhì)量的GaN的襯底、未來的5GHz之外的無線通信、高電場設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用。
參數(shù)：
