碳化硅（SiC）晶體及基片

來源：廣州昊諾實(shí)驗(yàn)室設(shè)備有限公司 發(fā)布日期：2019-05-09

碳化硅（SiC）晶體及基片

22.jpg

 簡(jiǎn)介：


     SiC單晶具有許多優(yōu)良的性質(zhì)，熱導(dǎo)率高、飽和電子遷移率高、抗電壓擊穿能力強(qiáng)等，適合于制備高頻率、高功率、耐高溫以及耐輻照的電子器件。


參數(shù)：

image.png

上一篇：沒有了
下一篇：沒有了